Исследование структур типа Siп/к -SiO2-Si с окислами, полученными в различных режимах окисления

R. . Khalestkiy, A. M. Skvortsov, Семенов А. М.


Read the full article 

Abstract

В настоящей работе приводятся результаты исследования МОП-структур, полученных в различных режимах окисления. В качестве исследуемых объектов использовались МОП-структуры с поликремневым затвором и окислом, полученным при различных условиях окисления. Подложка МОП-структур представляет собой монокристаллический кремний n-типа с удельным сопротивлением 7.5 Ом-см, ориентированный в плоскости (100). Перед термическим окислением образцы проходили очистку в перекисно-аммиачном растворе и смеси серной кислоты и перекиси водорода.


Copyright 2001-2017 ©
Scientific and Technical Journal
of Information Technologies, Mechanics and Optics.
All rights reserved.

Яндекс.Метрика