Исследование МОП-структур с окислами, полученными при различных режимах окисления

Семенов А.М., R. Khalestkiy, A. M. Skvortsov


Read the full article  ';

Abstract

Термический оксид кремния представляет собой один из основных материалов, применяющихся в современной микроэлектронике. Он используется в качестве маски при проведении процессов диффузии, выполняет функции диэлектрика в МОП- структурах, изолятора в КСДИ-структурах и многослойной коммутации и др. Особенные жесткие требования к качеству предъявляются к термическому окислу, применяемому в качестве подзатворного диэлектрика в МОП и КМОП интегральных микросхемах. При термическом окислении кремния одновременно происходит формирование межфазной границы Si-SiO2. Именно электрофизические параметры окисла и границы интерфейса Si-SiO2 являются главными факторами, определяющими работу и надежность функционирования КМОП ИМС.




Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Copyright 2001-2024 ©
Scientific and Technical Journal
of Information Technologies, Mechanics and Optics.
All rights reserved.

Яндекс.Метрика