Метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях быстродействующих диодных структур

V. . Togatov, P. . Gnatyuk


Read the full article 

Abstract

Предложен метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях, позволяющий производить измерения времен жизни, начиная с единиц наносекунд. Разработанная методика предусматривает такую же форму измерительного импульса тока, какая используется при стандартных измерениях времен восстановления диодных структур.


Copyright 2001-2017 ©
Scientific and Technical Journal
of Information Technologies, Mechanics and Optics.
All rights reserved.

Яндекс.Метрика