Способ уменьшения коммутационных потерь при включении транзистора на открытый диод

V. . Togatov, P. . Gnatyuk


Read the full article 

Abstract

Проведен анализ физических процессов при включении транзистора в преобразовательном каскаде с дросселем насыщения в цепи фиксирующего диода. Определены интервал рассасывания диода и величина энергии потерь в транзисторе при различных режимах включения. Показано, что за счет использования дросселя насыщения энергия потерь может быть уменьшена более чем вдвое.


Copyright 2001-2017 ©
Scientific and Technical Journal
of Information Technologies, Mechanics and Optics.
All rights reserved.

Яндекс.Метрика