ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ФЕМТОСЕКУНДНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВОЛНОВОДНЫХ СТРУКТУР В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Лесик М. А., Шимко А. А.


Read the full article 

Abstract

 

Явление изменения свойств оптических материалов под воздействием лазерного излучения может быть
использовано для создания оптической памяти, волноводов, устройств экспресс-анализа (lab-on-a-chip), а
также элементов интегральной оптики. В наших экспериментах структурные изменения индуцировались
в образцах аморфных полупроводников под воздействием фемтосекундного лазерного излучения. Полу-
чены зависимости диаметра волноводных структур от условий лазерного воздействия (мощность лазер-
ного излучения, скорость сканирования, число сканирований).

Keywords:

lab-on-a-chip, оптотехника

Copyright 2001-2017 ©
Scientific and Technical Journal
of Information Technologies, Mechanics and Optics.
All rights reserved.

Яндекс.Метрика