Исследование гистерезиса вольт-емкостных характеристик структур кремний-окисел с поликремниевым затвором при воздействии ионизирующего излучения

A. M. Skvortsov, V. . Sokolov, R. . Khalestkiy


Read the full article 

Abstract

 

В работе приводятся результаты исследования характера изменения гистерезиса вольт-фарадных характеристик (ВФХ) структур Si-SiO2 с поликремниевым затвором при воздействии гамма-излучения. Пока-
зывается, что гистерезис ВФХ, вызванный облучением, связан с процессами обмена неосновными носителями заряда между ловушечными центрами в окисле и кремниевой подложки.

Copyright 2001-2017 ©
Scientific and Technical Journal
of Information Technologies, Mechanics and Optics.
All rights reserved.

Яндекс.Метрика