Деградация структур Si-SiO2 с поликремниевым затвором при гамма-облучении в зависимости от напряжения смещения

A. M. Skvortsov, V. . Sokolov, R. . Khalestkiy, Смирнов Ю. В.


Read the full article 

Abstract

 

В работе приводятся результаты исследования влияния гамма-излучения на зарядовые характеристики структур Si-SiO2 с поликремниевым полевым электродом при облучении под напряжением смещения.
Показано, что характер радиационной деградации образцов является различным для отрицательной и положительной полярностей смещения. Обсуждаются механизмы, обуславливающие изменение зарядо-
вых свойств экспериментальных структур, при облучении под напряжением.

Copyright 2001-2017 ©
Scientific and Technical Journal
of Information Technologies, Mechanics and Optics.
All rights reserved.

Яндекс.Метрика