Влияние электрофизических параметров кремниевой подложки на гистерезис вольт-фарадных характеристик МОП-структур

R. . Khalestkiy


Read the full article 

Abstract

 

В работе приведены результаты исследования гистерезиса ВФХ структур металл-окисел-полупроводник. Показано, что свойства гистерезиса ВФХ, возникающего при облучении МОП-структур, определяются
типом проводимости подложки и его удельным сопротивлением и обусловлены процессами захвата носителей заряда из разрешенных энергетических зон кремния на ловушечные центры в окисле.

Copyright 2001-2017 ©
Scientific and Technical Journal
of Information Technologies, Mechanics and Optics.
All rights reserved.

Яндекс.Метрика