Исследование МОП-структур с окислами, полученными при различных режимах окисления

Семенов А. М., Халецкий Р. А., Скворцов А. М.



Аннотация

Термический оксид кремния представляет собой один из основных материалов, применяющихся в современной микроэлектронике. Он используется в качестве маски при проведении процессов диффузии, выполняет функции диэлектрика в МОП- структурах, изолятора в КСДИ-структурах и многослойной коммутации и др. Особенные жесткие требования к качеству предъявляются к термическому окислу, применяемому в качестве подзатворного диэлектрика в МОП и КМОП интегральных микросхемах. При термическом окислении кремния одновременно происходит формирование межфазной границы Si-SiO2. Именно электрофизические параметры окисла и границы интерфейса Si-SiO2 являются главными факторами, определяющими работу и надежность функционирования КМОП ИМС.


Информация 2001-2017 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика