ТЕПЛОВОЙ РЕЖИМ МОДУЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПАМЯТИ

Шарков А. В., Егоров В. И., Бирюлин Г. В., Туркунов С. А.



Аннотация

Рассчитан тепловой режим модуля электронной памяти, приведена методика замены многослойных стенок однослойной анизотропной в конечноэлементной модели, с помощью мультифизического моделирования рассчитаны граничные условия вынужденной конвекции.


Информация 2001-2017 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика