Эффективная масса тяжелых дырок в бесщелевых полупроводниках     
HgSe , CdxHg1-xTe и HgTe при комнатных температурах

Шевченко Ольга Юрьевна, Божевольнов Владислав Борисович, Перепелкин Анатолий Дмитриевич, Яфясов Адиль Маликович

2005 , ТОМ 05, НОМЕР 2 ( МАРТ-АПРЕЛЬ )

ISSN 2226-1494 (print), ISSN 2500-0373 (online)

Меню

Публикации

Главный редактор

НИКИФОРОВ
Владимир Олегович
д.т.н., профессор

Партнеры

Эффективная масса тяжелых дырок в бесщелевых полупроводниках HgSe , CdxHg1-xTe и HgTe при комнатных температурах

Шевченко О.Ю., Божевольнов В.Б., Перепелкин А.Д., Яфясов А.М.

Аннотация

Для исследования электрофизических свойств поверхности и приповерхностной области бесщелевых полупроводников HgSe, Cd_xHg_1-xTe (х = 0.03–0.05) и HgTe при комнатной температуре использован метод эффекта поля в электролитах. Определена эффективная масса тяжелых дырок для этих соединений. Проведено сопоставление экспериментальных и теоретически рассчитанных вольт-фарадных характеристик.

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License