Исследование гистерезиса вольт-емкостных характеристик структур кремний-окисел с поликремниевым затвором при воздействии ионизирующего излучения

Скворцов А. М., Соколов В. И., Халецкий Р. А.



Аннотация

 

В работе приводятся результаты исследования характера изменения гистерезиса вольт-фарадных характеристик (ВФХ) структур Si-SiO2 с поликремниевым затвором при воздействии гамма-излучения. Пока-
зывается, что гистерезис ВФХ, вызванный облучением, связан с процессами обмена неосновными носителями заряда между ловушечными центрами в окисле и кремниевой подложки.



Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Информация 2001-2018 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика