УДК681.382.2

P-I-N СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ GaAs ДЛЯ ДЕТЕКТОРОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Жиляев Ю. В., Микулик Д. И., Орлова Т. А., Полетаев Н. К., Сныткина С. А., Федоров Л. М., Пантелеев В. Н.


Читать статью полностью 

Аннотация

Исследованы характеристики полупроводниковых эпитаксиальных p-i-n структур на основе GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии. Разработаны новые условия эпитаксиального роста, позволяющие изготовить «толстые» слои чистого GaAs в рамках одного процесса.


Ключевые слова:

p-i-n структуры, GaAs, ХГФЭ, детектор рентгеновского излучения

Информация 2001-2017 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика