УДК621.315.592

МЕХАНИЗМ МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ СИСТЕМЫ SiO2/Si ПРИ ОБЛУЧЕНИИ СКАНИРУЮЩИМ ПУЧКОМ ИМПУЛЬСНОГО ВОЛОКОННОГО ЛАЗЕРА

Скворцов А. М., Хуинь Конг Ту . ., Халецкий Р. А.


Читать статью полностью 

Аннотация

Рассматривается механизм микроструктурирования системы SiO2/Si при облучении импульсным волоконным лазером ИЛИ-1-50 с применением режима сканирования лазерного пучка. Приведены результаты микроструктурирования при такой мощности излучения, когда происходит локальное плавление – кристаллизация кремния, но не разрушается пленка SiO2. Показано, что при малых дозах облучения (облучение в сходящихся лучах лазера) плавление кремния локализуется на поверхности кремния на структурных дефектах, в частности, в местах выхода на поверхность дислокаций, генерируемых лазерным облучением. Показано, что с ростом дозы облучения вначале происходит увеличение площади областей расплава, затем – смыкание этих областей и образование протяженных узких «каналов» расплава. При этом пленка SiO2 приобретает морфологию структурированной поверхности кремния.


Ключевые слова:

лазерное облучение, плавление кремния, кристаллизация, структурные дефекты, дислокации, микроструктурирование, сканирование

Информация 2001-2017 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика