Скворцов Альберт Матвеевич

Место работы: Университет ИТМО, Санкт-Петербург, 197101, Российская Федерация
Должность: профессор
Ученая степень: доктор технических наук, профессор
E-mail: a-skvortsov@yandex.ru
Халецкий Р. А., Скворцов А. М., Семенов А. Е., Новиков С. Н., Фролкова Е. Г. Исследование структурных дефектов межслойной изоляции в КМОП ИС
Статья опубликована в выпуске 4(10) за 2003
Фролкова Е. Г., Халецкий Р. А., Скворцов А. М., Семенов А. Е., Новиков С. Н. Исследование пробивных напряжений межслойной изоляции в КМОП ИС
Статья опубликована в выпуске 4(10) за 2003
Халецкий Р. А., Скворцов А. М., Семенов А. М. Исследование структур типа Siп/к -SiO2-Si с окислами, полученными в различных режимах окисления
Статья опубликована в выпуске 4(10) за 2003
Семенов А. М., Халецкий Р. А., Скворцов А. М. Исследование МОП-структур с окислами, полученными при различных режимах окисления
Статья опубликована в выпуске 4(10) за 2003
Скворцов А. М., Пилюгина Ю. А., Толмачев В. А. Химическое микроструктурирование поверхности монокристаллического кремния
Статья опубликована в выпуске 3(14) за 2004
Вейко В. П., Дышловенко С. С., Пилюгина Ю. А., Скворцов А. М. Микроструктурирование поверхности кремниевых пластин с помощью лазера
Статья опубликована в выпуске 3(14) за 2004
Скворцов А. М., Вейко В. П., Хуинь К. Т. ПРИМЕНЕНИЕ ИМПУЛЬСНОГО ВОЛОКОННОГО ЛАЗЕРА ДЛЯ МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ СИСТЕМЫ SiO2/Si
Статья опубликована в выпуске 5(81) за 2012
Скворцов А. М. Структурирование поверхности монокристаллов кремния в электронной технике
Статья опубликована в выпуске 4(20) за 2005
Скворцов А. М., Халецкий Р. А. Некоторые особенности деградации МОП-структур под действием γ-излучения
Статья опубликована в выпуске 4(20) за 2005
Скворцов А. М., Соколов В. И., Халецкий Р. А., Смирнов Ю. В. Деградация структур Si-SiO2 с поликремниевым затвором при гамма-облучении в зависимости от напряжения смещения
Статья опубликована в выпуске 9(32) за 2006
Ткалич В. Л., Гатчин Ю. А., Коробейников А. Г., Папченко Б. П., Скворцов А. М. Программно- аппаратный комплекс производственно-технологического контроля качества микро- и наноэлементной базы электроники
Статья опубликована в выпуске 9(32) за 2006
Скворцов А. М., Халецкий Р. А., Хуинь К. Т. ВЛИЯНИЕ ПРОЦЕССА ЛАЗЕРНОГО МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМЫ SiO2/Si
Статья опубликована в выпуске 1(83) за 2013
Скворцов А. М., Хуинь К. Т., Халецкий Р. А. МЕХАНИЗМ МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ СИСТЕМЫ SiO2/Si ПРИ ОБЛУЧЕНИИ СКАНИРУЮЩИМ ПУЧКОМ ИМПУЛЬСНОГО ВОЛОКОННОГО ЛАЗЕРА
Статья опубликована в выпуске 3(85) за 2013
Вейко В. П., Скворцов А. М., Хуинь К. Т., Петров А. А. ЛАЗЕРНАЯ АБЛЯЦИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИМПУЛЬСНО-ЧАСТОТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ВОЛОКОННОГО ЛАЗЕРА
Статья опубликована в выпуске 3(97) за 2015
Скворцов А. М., Трифонова Т. А., Хуинь К. Т. МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ ВОЛОКОННЫМ ЛАЗЕРОМ В РЕЖИМЕ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО СКАНИРОВАНИЯ
Статья опубликована в выпуске 6(100) за 2015
Информация 2001-2017 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика