Эффективная масса тяжелых дырок в бесщелевых полупроводниках HgSe , CdxHg1-xTe и HgTe при комнатных температурах

Шевченко О. Ю., Божевольнов В. Б., Перепелкин А. Д., Яфясов А. М.


Read the full article 

Abstract

Для исследования электрофизических свойств поверхности и приповерхностной области бесщелевых полупроводников HgSe, CdxHg1-xTe (х = 0.03–0.05) и HgTe при комнатной температуре использован метод эффекта поля в электролитах. Определена эффективная масса тяжелых дырок для этих соединений. Проведено сопоставление экспериментальных и теоретически рассчитанных вольт-фарадных характеристик.


Copyright 2001-2017 ©
Scientific and Technical Journal
of Information Technologies, Mechanics and Optics.
All rights reserved.

Яндекс.Метрика