Метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях быстродействующих диодных структур

Тогатов В.В., Гнатюк П.А.



Аннотация

Предложен метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях, позволяющий производить измерения времен жизни, начиная с единиц наносекунд. Разработанная методика предусматривает такую же форму измерительного импульса тока, какая используется при стандартных измерениях времен восстановления диодных структур.




Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Информация 2001-2024 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика