Деградация структур Si-SiO2 с поликремниевым затвором при гамма-облучении в зависимости от напряжения смещения

Скворцов А. М., Соколов В. И., Халецкий Р. А., Смирнов Ю. В.



Аннотация

 

В работе приводятся результаты исследования влияния гамма-излучения на зарядовые характеристики структур Si-SiO2 с поликремниевым полевым электродом при облучении под напряжением смещения.
Показано, что характер радиационной деградации образцов является различным для отрицательной и положительной полярностей смещения. Обсуждаются механизмы, обуславливающие изменение зарядо-
вых свойств экспериментальных структур, при облучении под напряжением.

Информация 2001-2017 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика