Меню
Публикации
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
Главный редактор
НИКИФОРОВ
Владимир Олегович
д.т.н., профессор
Партнеры
doi: 10.17586/2226-1494-2022-22-1-25-32
УДК 621.382
Исследование кремниевых p-n структур с моно- и мультифоточувствительными поверхностями
Читать статью полностью
Язык статьи - английский
Ссылка для цитирования:
Аннотация
Ссылка для цитирования:
Мирзаалимов А.А., Гуломов Ж., Алиев Р., Мирзаалимов Н.А., Алиев С. Исследование кремниевых p-n структур с моно- и мультифоточувствительными поверхностями // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2022. Т. 22, № 1. С. 25–32 (на англ. яз.). doi: 10.17586/2226-1494-2022-22-1-25-32
Аннотация
Повышение эффективности и сокращение расхода кремния при производстве солнечных элементов являются актуальными проблемами. Один из путей их решения — создание двух- и трехлицевых солнечных элементов. Выходная мощность солнечного элемента при двухстороннем освещении в 1,72 раза и при трехстороннем освещении в 2,81 раза превышает мощность односторонне освещенного (обычного) солнечного элемента. При освещении солнечного элемента светом высокой интенсивности актуальным становится учет температуры его нагрева. В работе исследовано влияние температуры на свойства многосторонне освещаемого солнечного элемента. Определен характер изменения температурных коэффициентов основных фотоэлектрических параметров кремниевых солнечных элементов при различных условиях (одно-, двух- и трехстороннего) освещения. Температурный коэффициент трехсторонне освещаемых солнечных элементов для напряжения холостого хода составил величину 2,52·10–3 В/К, коэффициент заполнения вольтамперной характеристики 1,8·10–3 К–1. При изменении температуры солнечного элемента от 300 до 350 К плотность тока короткого замыкания уменьшается всего на 4 %.
Ключевые слова: кремний, солнечный элемент, моделирование, трехсторонняя чувствительность, p-n переход, эффективность, освещение, температура
Благодарности. Авторы выражают благодарность сотрудникам Лаборатории возобновляемых источников энергии Андижанского государственного университета за активную помощь в подготовке статьи.
Список литературы
Благодарности. Авторы выражают благодарность сотрудникам Лаборатории возобновляемых источников энергии Андижанского государственного университета за активную помощь в подготовке статьи.
Список литературы
- Mardani A., Jusoh A., Zavadskas E.K., Cavallaro F., Khalifah Z. Sustainable and renewable energy: An overview of the application of multiple criteria decision making techniques and approaches // Sustainability. 2015. V. 7. N 10. P. 13947–13984. https://doi.org/10.3390/SU71013947
- Guangul F.M., Chala G.T. Solar energy as renewable energy source: SWOT analysis // Proc. of the 4th MEC International Conference on Big Data and Cmart City (ICBDSC). 2019. P. 8645580 https://doi.org/10.1109/ICBDSC.2019.8645580
- Fath P., Keller S., Winter P., Jooß W., Herbst W. Status and perspective of crystalline silicon solar cell production // Proc. of the 34th IEEE Conference Photovoltaic Specialists. 2009. P. 002471–002476. https://doi.org/10.1109/PVSC.2009.5411274
- Shockley W., Queisser H.J. Detailed balance limit of efficiency of p‐njunction solar cells // Journal of Applied Physics. 1961. V. 32. N 3. P. 510–519. https://doi.org/10.1063/1.1736034
- Schmidt J., Werner F., Veith B., Zielke D., Steingrube S., Altermatt P.P., Gatz S., Dullweber T., Brendel R. Advances in the surface passivation of silicon solar cells // Energy Procedia. 2012. V. 15. P. 30–39. https://doi.org/10.1016/J.EGYPRO.2012.02.004
- GulomovJ., AlievR. The way of the increasing two times the efficiency of silicon solar cell// Physics and Chemistry of Solid State.2021. V. 22. N 4. P. 756–760. https://doi.org/10.15330/pcss.22.4.756-760
- Hiroshi M. Radiation energy transducing device. PatentUS3278811A [Электронный ресурс]. URL: https://patents.google.com/patent/US3278811A/en(дата обращения: 14.09.2021).
- Hübner A., Aberle A.G., Hezel R. Novel cost-effective bifacial silicon solar cells with 19.4% front and 18.1% rear efficiency // Applied Physics Letters. 1997. V. 70. N 8. P. 1008–1010. https://doi.org/10.1063/1.118466
- Aliev R., Muxtarov E., Mirzaalimov A. Quyosh generator. Patent UZ. № FAP00623. 2011.
- Gulomov J., Aliev R. Numerical analysis of the effect of illumination intensity on photoelectric parameters of the silicon solar cell with various metal nanoparticles // Наносистемы: физика, химия, математика. 2021. Т. 12. № 5. С. 569–574. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2021-12-5-569-574
- Gulomov J., Aliev R. Study of the temperature coefficient of the main photoelectric parameters of silicon solar cells with various nanoparticles // Journal of Nano- and Electronic Physics. 2021. V. 13. N 4. P. 04033. https://doi.org/10.21272/JNEP.13(4).04033
- Pal S., Reinders A., Saive R. Simulation of bifacial and monofacial silicon solar cell short-circuit current density under measured spectro-angular solar irradiance // IEEE Journal of Photovoltaics. 2020. V. 10. N 6. P. 1803–1815. https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2020.3026141
- Tiedje T., Engelbrecht D.A. Temperature dependence of the limiting efficiency of bifacial silicon solar cells // Proc. of the 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). 2020. P. 1789–1791. https://doi.org/10.1109/PVSC45281.2020.9300921
- Wang H., Cheng X., Yang H. Temperature coefficients and operating temperature verification for passivated emitter and rear cell bifacial silicon solar module // IEEE Journal of Photovoltaics. 2020. V. 10. N 3. P. 729–739. https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2020.2974289