Эффективная масса тяжелых дырок в бесщелевых полупроводниках HgSe , CdxHg1-xTe и HgTe при комнатных температурах

Шевченко О. Ю., Божевольнов В. Б., Перепелкин А. Д., Яфясов А. М.



Аннотация

Для исследования электрофизических свойств поверхности и приповерхностной области бесщелевых полупроводников HgSe, CdxHg1-xTe (х = 0.03–0.05) и HgTe при комнатной температуре использован метод эффекта поля в электролитах. Определена эффективная масса тяжелых дырок для этих соединений. Проведено сопоставление экспериментальных и теоретически рассчитанных вольт-фарадных характеристик.




Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Информация 2001-2019 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика