Соловьева Евгения Олеговна

Место работы: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
Должность: лаборант
E-mail: eugeniasoloveva11@gmail.com
ORCID: 0000-0002-6822-5279
Соловьева Е. О., Рогило Д. И., Щеглов Д. В., Латышев А. В.
Аномальный диффузионный профиль адатомов на экстремально широких террасах поверхности Si (111) 

Статья опубликована в выпуске №5, том 21, 2021
Информация 2001-2024 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика