Ефимов Арсений Олегович

Место работы: Университет ИТМО, Санкт-Петербург, 197101, Российская Федерация
Ученая степень: аспирант
E-mail: aoefimov@itmo.ru
ORCID: 0009-0009-2212-0437
Папылев Д. С., Бабичев А. В., Гладышев А. Г., Карачинский Л. Я., Андрюшкин В. В., Новиков И. И., Ефимов А. О., Егоров А. Ю., Надточий А. М.

Влияние скорости эпитаксиального роста сильно напряженных квантовых ям InGaAs на фотолюминесценцию гетероструктур на подложках GaAs


Статья опубликована в выпуске №6, том 25, 2025
Информация 2001-2025 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.

Яндекс.Метрика