ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ФЕМТОСЕКУНДНОГО ЛАЗЕРНОГО
ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВОЛНОВОДНЫХ СТРУКТУР
В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКАХ

, VOLUME , NUMBER ( )

ISSN 2226-1494 (print), ISSN 2500-0373 (online)

Publications

Editor-in-Chief

Nikiforov
Vladimir O.
D.Sc., Prof.

Partners

Лесик М.А., A. A. Shimko

Read the full article

Abstract

Явление изменения свойств оптических материалов под воздействием лазерного излучения может быть

использовано для создания оптической памяти, волноводов, устройств экспресс-анализа (lab-on-a-chip), а

также элементов интегральной оптики. В наших экспериментах структурные изменения индуцировались

в образцах аморфных полупроводников под воздействием фемтосекундного лазерного излучения. Полу-

чены зависимости диаметра волноводных структур от условий лазерного воздействия (мощность лазер-

ного излучения, скорость сканирования, число сканирований).

Keywords:

lab-on-a-chip, оптотехника