ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ФЕМТОСЕКУНДНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВОЛНОВОДНЫХ СТРУКТУР В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Лесик М.А., Шимко А.А.



Аннотация

 

Явление изменения свойств оптических материалов под воздействием лазерного излучения может быть
использовано для создания оптической памяти, волноводов, устройств экспресс-анализа (lab-on-a-chip), а
также элементов интегральной оптики. В наших экспериментах структурные изменения индуцировались
в образцах аморфных полупроводников под воздействием фемтосекундного лазерного излучения. Полу-
чены зависимости диаметра волноводных структур от условий лазерного воздействия (мощность лазер-
ного излучения, скорость сканирования, число сканирований).

Ключевые слова:

lab-on-a-chip, оптотехника



Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Информация 2001-2019 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика