Анализ зависимости дифференциальной емкости области пространственного заряда бесщелевого полупроводника от поверхностного потенциала при комнатных температурах

Шевченко О.Ю., Божевольнов В.Б., Перепелкин А.Д., Яфясов А.М.


Read the full article  ';

Abstract

 

Предложена методика оценки электронных параметров (величины матричного элемента оператора квазиимпульса, эффективной массы электронов, положения уровня Ферми) бесщелевых полупроводников в
рамках классического описания области пространственного заряда при комнатной температуре. Получен критерий ее применимости. Проведена оценка электронных параметров и определен критерий точности
методики для бесщелевого соединения HgSe.



Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Copyright 2001-2020 ©
Scientific and Technical Journal
of Information Technologies, Mechanics and Optics.
All rights reserved.

Яндекс.Метрика