2006 , ТОМ 06, НОМЕР 8 ( МАЙ )

ISSN 2226-1494 (print), ISSN 2500-0373 (online)

Меню

Публикации

Главный редактор

НИКИФОРОВ
Владимир Олегович
д.т.н., профессор

Партнеры

Анализ зависимости дифференциальной емкости области пространственного заряда бесщелевого полупроводника от поверхностного потенциала при комнатных температурах

Шевченко О.Ю., Божевольнов В.Б., Перепелкин А.Д., Яфясов А.М.

Аннотация

Предложена методика оценки электронных параметров (величины матричного элемента оператора квазиимпульса, эффективной массы электронов, положения уровня Ферми) бесщелевых полупроводников в

рамках классического описания области пространственного заряда при комнатной температуре. Получен критерий ее применимости. Проведена оценка электронных параметров и определен критерий точности

методики для бесщелевого соединения HgSe.

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License

Информация 2001-2025 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.