Меню
Публикации
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
Главный редактор
НИКИФОРОВ
Владимир Олегович
д.т.н., профессор
Партнеры
doi: 10.17586/2226-1494-2024-24-6-1059-1065
УДК 621.382
Бондарев А.В. и др.
Исследование стабильности гибридной МОП-мемристорной памяти с использованием модифицированного метода оптимизации роя частиц
Исследование стабильности гибридной МОП-мемристорной памяти с использованием модифицированного метода оптимизации роя частиц
Читать статью полностью
Язык статьи - русский
Ссылка для цитирования:
Аннотация
Ссылка для цитирования:
Бондарев А.В., Ефанов В.Н. Исследование стабильности гибридной МОПмемристорной памяти с использованием модифицированного метода оптимизации роя частиц // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2024. Т. 24, № 6. С. 1059–1065. doi: 10.17586/2226-1494-2024-24-6-1059-1065
Аннотация
Введение. Рассматривается проблема оценки стабильности наноэлектронных структур, включающих гибридную транзисторно-мемристорную энергонезависимую память. Результаты исследования процессов в наноэлектронных структурах с использованием мемристоров показали, что дополнительно к обычному дрейфу параметров, свойственному полупроводниковым приборам, в данных структурах возникают новые уникальные эффекты. Такие эффекты приводят к неопределенности в оценке состояния ячеек мемристорной памяти. Исследование подобных эффектов находится в начальном состоянии, в том числе из-за отсутствия моделей, позволяющих в полном объеме исследовать изменчивость параметров и дрейф состояний мемристоров. В связи с этим предлагается использовать метаэвристический метод роя частиц, позволяющий оценивать устойчивость гибридной транзисторно-мемристорной памяти. Методы. В работе используются методы топологического и параметрического анализов наноэлектронных структур с мемристорами, метод интервального анализа подобных структур, метод оптимизации роя частиц для решения интервальных алгебраических и дифференциальных уравнений. Основные результаты. Предложена структурно-параметрическая модель гибридного устройства памяти на основе мемристоров с учетом конечных приращений их параметров, вызванных воздействием внешних и внутренних факторов. Разработан алгоритм оценки параметров гибридного запоминающего устройства с мемристорами на основе модифицированного метода оптимизации роя частиц. Обсуждение. Интервальные математические модели служат основой для разработки новых принципов организации сверхплотной энергонезависимой памяти и создают предпосылки для новых подходов к организации вычислений в памяти. Вычислительный алгоритм, основанный на методе оптимизации роя частиц, позволяет оценить работоспособность гибридных металл-оксид-полупроводниковых структур (МОП-структур) с мемристорами в реальных условиях эксплуатации. В результате выполненной оценки появляется возможность расширить область применения устройств, использующих квантовые эффекты, в различных технических приложениях.
Ключевые слова: мемристор, МОП-транзистор, память, стабильность, оптимизация, рой частиц