ИССЛЕДОВАНИЕ КАЧЕСТВА ФОТОЛИТОГРАФИИ В СЛОЯХ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ЗАТВОРОВ КМОП ИС

Бабков А.С., Лопатнева Н.В.



Аннотация

 

В работе приведено исследование распределения длины поликремниевого затвора МОП транзисторов по
площади пластин с готовыми КМОП ИС. Рассмотрено влияние различных методов травления, а также
степени лигирования пленки поликремния на изменение геометрии затвора.

Ключевые слова:

КМОП ИС, МОП 



Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Информация 2001-2019 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика