ИССЛЕДОВАНИЕ КАЧЕСТВА ФОТОЛИТОГРАФИИ В СЛОЯХ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ЗАТВОРОВ КМОП ИС

Бабков А.С., Лопатнева Н.В.


Read the full article  ';

Abstract

 

В работе приведено исследование распределения длины поликремниевого затвора МОП транзисторов по
площади пластин с готовыми КМОП ИС. Рассмотрено влияние различных методов травления, а также
степени лигирования пленки поликремния на изменение геометрии затвора.

Keywords:

КМОП ИС, МОП 



Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Copyright 2001-2024 ©
Scientific and Technical Journal
of Information Technologies, Mechanics and Optics.
All rights reserved.

Яндекс.Метрика