УДК681.382.2

P-I-N СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ GaAs ДЛЯ ДЕТЕКТОРОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Жиляев Ю.В., Микулик Д.И., Орлова Т.А., Полетаев Н.К., Сныткина С.А., Федоров Л.М., Пантелеев В.Н.


Читать статью полностью 

Аннотация

Исследованы характеристики полупроводниковых эпитаксиальных p-i-n структур на основе GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии. Разработаны новые условия эпитаксиального роста, позволяющие изготовить «толстые» слои чистого GaAs в рамках одного процесса.


Ключевые слова:

p-i-n структуры, GaAs, ХГФЭ, детектор рентгеновского излучения



Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Информация 2001-2019 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика