P-I-N СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ GaAs ДЛЯ ДЕТЕКТОРОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Жиляев Юрий Васильевич, Микулик Дмитрий Игоревич, Орлова Татьяна Алексеевна, Полетаев Николай Константинович, Сныткина Светлана Александровна, Федоров Леонид Михайлович, Пантелеев Валерий Николаевич

2010 , ТОМ 10, НОМЕР 5 ( СЕНТЯБРЬ-ОКТЯБРЬ )

ISSN 2226-1494 (print), ISSN 2500-0373 (online)

Меню

Публикации

Главный редактор

НИКИФОРОВ
Владимир Олегович
д.т.н., профессор

Партнеры

УДК 681.382.2

P-I-N СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ GaAs ДЛЯ ДЕТЕКТОРОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Жиляев Ю.В., Микулик Д.И., Орлова Т.А., Полетаев Н.К., Сныткина С.А., Федоров Л.М., Пантелеев В.Н.

Читать статью полностью

Аннотация

Исследованы характеристики полупроводниковых эпитаксиальных p-i-n структур на основе GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии. Разработаны новые условия эпитаксиального роста, позволяющие изготовить «толстые» слои чистого GaAs в рамках одного процесса.

Ключевые слова:

p-i-n структуры, GaAs, ХГФЭ, детектор рентгеновского излучения

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License