Деградация структур Si-SiO2 с поликремниевым затвором при гамма-облучении в зависимости от напряжения смещения

Скворцов А.М., Соколов В.И., Халецкий Р.А., Смирнов Ю.В.



Аннотация

 

В работе приводятся результаты исследования влияния гамма-излучения на зарядовые характеристики структур Si-SiO2 с поликремниевым полевым электродом при облучении под напряжением смещения.
Показано, что характер радиационной деградации образцов является различным для отрицательной и положительной полярностей смещения. Обсуждаются механизмы, обуславливающие изменение зарядо-
вых свойств экспериментальных структур, при облучении под напряжением.



Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Информация 2001-2019 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика