Автор Халецкий Роман Александрович Научно-Технический Вестник информационных технологий, механики и оптики

2024 , ТОМ 24, НОМЕР 5 ( сентябрь-октябрь )

ISSN 2226-1494 (print), ISSN 2500-0373 (online)

Меню

Публикации

Главный редактор

НИКИФОРОВ
Владимир Олегович
д.т.н., профессор

Партнеры

Халецкий Роман Александрович

Место работы: Университет ИТМО
Ученая степень: кандидат технических наук, доцент
E-mail: halecky@yandex.ru

Халецкий Р. А., Фам К. Т. ВЛИЯНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ YLP–ЛАЗЕРА НА ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СИСТЕМЫ КРЕМНИЙ–ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ
Статья опубликована в выпуске №6, том 09, 2009

Халецкий Р. А., Скворцов А. М., Семенов А. Е., Новиков С. Н., Фролкова Е. Г. Исследование структурных дефектов межслойной изоляции в КМОП ИС
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003

Фролкова Е. Г., Халецкий Р. А., Скворцов А. М., Семенов А. Е., Новиков С. Н. Исследование пробивных напряжений межслойной изоляции в КМОП ИС
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003

Халецкий Р. А., Скворцов А. М., Семенов А. М. Исследование структур типа Si_п/к -SiO₂-Si с окислами, полученными в различных режимах окисления
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003

Семенов А. М., Халецкий Р. А., Скворцов А. М. Исследование МОП-структур с окислами, полученными при различных режимах окисления
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003

Скворцов А. М., Халецкий Р. А. Некоторые особенности деградации МОП-структур под действием γ-излучения
Статья опубликована в выпуске №4, том 05, 2005

Скворцов А. М., Соколов В. И., Халецкий Р. А. Исследование гистерезиса вольт-емкостных характеристик структур кремний-окисел с поликремниевым затвором при воздействии ионизирующего излучения
Статья опубликована в выпуске №9, том 06, 2006

Скворцов А. М., Соколов В. И., Халецкий Р. А., Смирнов Ю. В. Деградация структур Si-SiO2 с поликремниевым затвором при гамма-облучении в зависимости от напряжения смещения
Статья опубликована в выпуске №9, том 06, 2006

Смирнов Ю. В., Халецкий Р. А. Исследование пострадиационного эффекта в МОП-структурах, облученных под напряжением
Статья опубликована в выпуске №6, том 06, 2006

Халецкий Р. А. Гистерезис вольт-фарадных характеристик МОП-структур с поликремниевым затвором
Статья опубликована в выпуске №6, том 06, 2006

Халецкий Р. А. Влияние электрофизических параметров кремниевой подложки на гистерезис вольт-фарадных характеристик МОП-структур
Статья опубликована в выпуске №6, том 06, 2006

Кузнецова О. В., Фам К. Т., Халецкий Р. А. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ СИСТЕМЫ Si/SiO2, ИНДУЦИРОВАННЫХ ЛАЗЕРНЫМ ВОЗДЕЙСТВИЕМ
Статья опубликована в выпуске №5, том 10, 2010

Скворцов А. М., Халецкий Р. А., Хуинь Конг Ту ВЛИЯНИЕ ПРОЦЕССА ЛАЗЕРНОГО МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМЫ SiO2/Si
Статья опубликована в выпуске №1, том 13, 2013

Скворцов А. М., Хуинь Конг Ту, Халецкий Р. А. МЕХАНИЗМ МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ СИСТЕМЫ SiO2/Si ПРИ ОБЛУЧЕНИИ СКАНИРУЮЩИМ ПУЧКОМ ИМПУЛЬСНОГО ВОЛОКОННОГО ЛАЗЕРА
Статья опубликована в выпуске №3, том 13, 2013

Информация 2001-2024 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.