Автор Скворцов Альберт Матвеевич Научно-Технический Вестник информационных технологий, механики и оптики

2024 , ТОМ 24, НОМЕР 6 ( ноябрь-декабрь )

ISSN 2226-1494 (print), ISSN 2500-0373 (online)

Меню

Публикации

Главный редактор

НИКИФОРОВ
Владимир Олегович
д.т.н., профессор

Партнеры

Скворцов Альберт Матвеевич

Место работы: Университет ИТМО, Санкт-Петербург, 197101, Российская Федерация
Должность: профессор
Ученая степень: доктор технических наук, профессор
E-mail: a-skvortsov@yandex.ru

Халецкий Р. А., Скворцов А. М., Семенов А. Е., Новиков С. Н., Фролкова Е. Г. Исследование структурных дефектов межслойной изоляции в КМОП ИС
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003

Фролкова Е. Г., Халецкий Р. А., Скворцов А. М., Семенов А. Е., Новиков С. Н. Исследование пробивных напряжений межслойной изоляции в КМОП ИС
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003

Халецкий Р. А., Скворцов А. М., Семенов А. М. Исследование структур типа Si_п/к -SiO₂-Si с окислами, полученными в различных режимах окисления
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003

Семенов А. М., Халецкий Р. А., Скворцов А. М. Исследование МОП-структур с окислами, полученными при различных режимах окисления
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003

Скворцов А. М., Стройков И. И. ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ФОСФАТНОГО СТЕКЛА НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ
Статья опубликована в выпуске №6, том 08, 2008

Скворцов А. М., Пилюгина Ю. А., Толмачев В. А. Химическое микроструктурирование поверхности монокристаллического кремния
Статья опубликована в выпуске №3, том 04, 2004

Вейко В. П., Дышловенко С. С., Пилюгина Ю. А., Скворцов А. М. Микроструктурирование поверхности кремниевых пластин с помощью лазера
Статья опубликована в выпуске №3, том 04, 2004

Скворцов А. М., Вейко В. П., Хуинь Конг Ту ПРИМЕНЕНИЕ ИМПУЛЬСНОГО ВОЛОКОННОГО ЛАЗЕРА ДЛЯ МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ СИСТЕМЫ SiO2/Si
Статья опубликована в выпуске №5, том 12, 2012

Скворцов А. М. Структурирование поверхности монокристаллов кремния в электронной технике
Статья опубликована в выпуске №4, том 05, 2005

Скворцов А. М., Халецкий Р. А. Некоторые особенности деградации МОП-структур под действием γ-излучения
Статья опубликована в выпуске №4, том 05, 2005

Скворцов А. М., Соколов В. И., Халецкий Р. А. Исследование гистерезиса вольт-емкостных характеристик структур кремний-окисел с поликремниевым затвором при воздействии ионизирующего излучения
Статья опубликована в выпуске №9, том 06, 2006

Скворцов А. М., Соколов В. И., Халецкий Р. А., Смирнов Ю. В. Деградация структур Si-SiO2 с поликремниевым затвором при гамма-облучении в зависимости от напряжения смещения
Статья опубликована в выпуске №9, том 06, 2006

Ткалич В. Л., Гатчин Ю. А., Коробейников А. Г., Папченко Б. П., Скворцов А. М. Программно- аппаратный комплекс производственно-технологического контроля качества микро- и наноэлементной базы электроники
Статья опубликована в выпуске №9, том 06, 2006

Скворцов А. М., Халецкий Р. А., Хуинь Конг Ту ВЛИЯНИЕ ПРОЦЕССА ЛАЗЕРНОГО МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМЫ SiO2/Si
Статья опубликована в выпуске №1, том 13, 2013

Скворцов А. М., Хуинь Конг Ту, Халецкий Р. А. МЕХАНИЗМ МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ СИСТЕМЫ SiO2/Si ПРИ ОБЛУЧЕНИИ СКАНИРУЮЩИМ ПУЧКОМ ИМПУЛЬСНОГО ВОЛОКОННОГО ЛАЗЕРА
Статья опубликована в выпуске №3, том 13, 2013

Вейко В. П., Скворцов А. М., Хуинь Конг Ту, Петров А. А. ЛАЗЕРНАЯ АБЛЯЦИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИМПУЛЬСНО-ЧАСТОТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ВОЛОКОННОГО ЛАЗЕРА
Статья опубликована в выпуске №3, том 15, 2015

Скворцов А. М., Трифонова Т. А., Хуинь Конг Ту МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ ВОЛОКОННЫМ ЛАЗЕРОМ В РЕЖИМЕ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО СКАНИРОВАНИЯ
Статья опубликована в выпуске №6, том 15, 2015

Информация 2001-2025 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.