структурный дефект, лазерное облучение, вольт-фарадная характеристика, система Si–SiO2 " />
УДК621.315.592; 621.315.51.6; 621.3.049.77.14

ВЛИЯНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ YLP–ЛАЗЕРА НА ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СИСТЕМЫ КРЕМНИЙ–ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ

Халецкий Р.А., Фам К.Т.


Читать статью полностью 

Аннотация

 

Приводятся результаты эксперимента, связанного с облучением термически окисленной кремниевой пластины импульсным волоконным YLP-лазером с длиной волны 1,06 мкм с различной плотностью мощности излучения. Показано, что при плотности мощности лазерного излучения ниже плотности мощности, необходимой для расплавления кремния, в окисле появляются структурные дефекты, которые приводят к увеличению отрицательного заряда в объеме диэлектрика и увеличению проводимости SiO2 при определенных значениях напряжения смещения на затворе.

Ключевые слова:

 

структурный дефект, лазерное облучение, вольт-фарадная характеристика, система Si–SiO2


Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Информация 2001-2019 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика