ВЛИЯНИЕ ПЛЕНКИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ НА СПЕКТРАЛЬНУЮ
ХАРАКТЕРИСТИКУ КРЕМНИЕВОГО ФОТОДИОДА

Соколов Владимир Иванович, Хуинь Конг Ту

2011 , ТОМ 11, НОМЕР 4 ( ИЮЛЬ-АВГУСТ )

ISSN 2226-1494 (print), ISSN 2500-0373 (online)

Меню

Публикации

Главный редактор

НИКИФОРОВ
Владимир Олегович
д.т.н., профессор

Партнеры

УДК 621.383.5

ВЛИЯНИЕ ПЛЕНКИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ НА СПЕКТРАЛЬНУЮ ХАРАКТЕРИСТИКУ КРЕМНИЕВОГО ФОТОДИОДА

Соколов В.И., Хуинь Конг Ту

Читать статью полностью

Аннотация

Рассмотрено влияние пленки пористого кремния, сформированной методом анодного электрохимического травления p-области, на спектральную характеристику кремниевого фотодиода. Показано, что созданный слой пористого кремния приводит к существенному увеличению спектральной чувствительности во всей области спектра. Наблюдается изменение спектральной чувствительности фотодиода во времени.

Ключевые слова:

пористый кремний, спектральная характеристика, фотодиод.

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License