Воронцова Юлия Александровна

Место работы: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
Должность: лаборант
E-mail: jvorontsova2000@gmail.com
ORCID: 0000-0002-4821-7773
Воронцова Ю. А., Ситников С. В.
Дрейф двумерных вакансионных островков на поверхности Si(100) в условиях электромиграции

Статья опубликована в выпуске №5, том 21, 2021
Информация 2001-2022 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика