Исследование структур типа Siп/к -SiO2-Si с окислами, полученными в различных режимах окисления

Халецкий Р.А., Скворцов А.М., Семенов А.М.



Аннотация

В настоящей работе приводятся результаты исследования МОП-структур, полученных в различных режимах окисления. В качестве исследуемых объектов использовались МОП-структуры с поликремневым затвором и окислом, полученным при различных условиях окисления. Подложка МОП-структур представляет собой монокристаллический кремний n-типа с удельным сопротивлением 7.5 Ом-см, ориентированный в плоскости (100). Перед термическим окислением образцы проходили очистку в перекисно-аммиачном растворе и смеси серной кислоты и перекиси водорода.




Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Информация 2001-2019 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика