Исследование структуры тонких диэлектрических слоев оптическими методами

Карасев Н.Н., Шакин А.О.



Аннотация

Работа посвящена возможности использования метода нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) для анализа структуры тонких диэлектрических слоев полученных методами физического осаждения. Дополнительно структура образцов исследовалась на растровом электронном микроскопе (РЭМ). Анализ картины рассеяния и определение вида индикатрисы рассеяния позволит проводить неразрушающий контроль структуры полученных покрытий.


Ключевые слова:

прикладная оптика, диэлектрические слои



Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Информация 2001-2019 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика