УДК621.315.592; 621.382002

ВЛИЯНИЕ ПРОЦЕССА ЛАЗЕРНОГО МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМЫ SiO2/Si

Скворцов А.М., Халецкий Р.А., Хуинь Конг Ту


Читать статью полностью 

Аннотация

Исследованы электрофизические параметры системы SiO2/Si после облучения импульсным иттербиевым волоконным лазером типа ИЛИ-1-50. Показано, что при воздействии лазерного излучения в системе кремний–окисел происходит образование дефектов, ответственных за появление различного рода зарядов. Обнаружено, что лазерно-индуцированные дефекты появляются и на участках, удаленных от зоны облучения. Установлено, что скорость генерации дефектов на границе раздела кремний–окисел зависит от их энергетического расположения в запрещенной зоне кремния и достигает максимального значения вблизи уровня Ферми.


Ключевые слова:

лазерное облучение, дислокации, линии скольжения,·микроструктурирование, вольт-фарадные характеристики



Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License
Информация 2001-2019 ©
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики.
Все права защищены.

Яндекс.Метрика