Меню
Публикации
2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
Главный редактор
НИКИФОРОВ
Владимир Олегович
д.т.н., профессор
Партнеры
Халецкий Роман Александрович
Место работы: Университет ИТМО
Ученая степень: кандидат технических наук, доцент
E-mail: halecky@yandex.ru
Ученая степень: кандидат технических наук, доцент
E-mail: halecky@yandex.ru
Халецкий Р. А., Фам К. Т. ВЛИЯНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ YLP–ЛАЗЕРА НА ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СИСТЕМЫ КРЕМНИЙ–ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ
Статья опубликована в выпуске №6, том 09, 2009
Статья опубликована в выпуске №6, том 09, 2009
Халецкий Р. А., Скворцов А. М., Семенов А. Е., Новиков С. Н., Фролкова Е. Г. Исследование структурных дефектов межслойной изоляции в КМОП ИС
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003
Фролкова Е. Г., Халецкий Р. А., Скворцов А. М., Семенов А. Е., Новиков С. Н. Исследование пробивных напряжений межслойной изоляции в КМОП ИС
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003
Халецкий Р. А., Скворцов А. М., Семенов А. М. Исследование структур типа Siп/к -SiO2-Si с окислами, полученными в различных режимах окисления
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003
Семенов А. М., Халецкий Р. А., Скворцов А. М. Исследование МОП-структур с окислами, полученными при различных режимах окисления
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003
Статья опубликована в выпуске №4, том 03, 2003
Скворцов А. М., Халецкий Р. А. Некоторые особенности деградации
МОП-структур под действием γ-излучения
Статья опубликована в выпуске №4, том 05, 2005
Статья опубликована в выпуске №4, том 05, 2005
Скворцов А. М., Соколов В. И., Халецкий Р. А. Исследование гистерезиса
вольт-емкостных характеристик структур кремний-окисел с поликремниевым
затвором при воздействии ионизирующего излучения
Статья опубликована в выпуске №9, том 06, 2006
Статья опубликована в выпуске №9, том 06, 2006
Скворцов А. М., Соколов В. И., Халецкий Р. А., Смирнов Ю. В. Деградация структур
Si-SiO2 с поликремниевым затвором при гамма-облучении в зависимости
от напряжения смещения
Статья опубликована в выпуске №9, том 06, 2006
Статья опубликована в выпуске №9, том 06, 2006
Смирнов Ю. В., Халецкий Р. А. Исследование пострадиационного эффекта
в МОП-структурах, облученных под напряжением
Статья опубликована в выпуске №6, том 06, 2006
Статья опубликована в выпуске №6, том 06, 2006
Халецкий Р. А. Гистерезис вольт-фарадных характеристик МОП-структур
с поликремниевым затвором
Статья опубликована в выпуске №6, том 06, 2006
Статья опубликована в выпуске №6, том 06, 2006
Халецкий Р. А. Влияние электрофизических параметров кремниевой подложки
на гистерезис вольт-фарадных характеристик МОП-структур
Статья опубликована в выпуске №6, том 06, 2006
Статья опубликована в выпуске №6, том 06, 2006
Кузнецова О. В., Фам К. Т., Халецкий Р. А. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ СИСТЕМЫ Si/SiO2, ИНДУЦИРОВАННЫХ ЛАЗЕРНЫМ ВОЗДЕЙСТВИЕМ
Статья опубликована в выпуске №5, том 10, 2010
Статья опубликована в выпуске №5, том 10, 2010
Скворцов А. М., Халецкий Р. А., Хуинь Конг Ту ВЛИЯНИЕ ПРОЦЕССА ЛАЗЕРНОГО МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМЫ SiO2/Si
Статья опубликована в выпуске №1, том 13, 2013
Статья опубликована в выпуске №1, том 13, 2013
Скворцов А. М., Хуинь Конг Ту, Халецкий Р. А. МЕХАНИЗМ МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ СИСТЕМЫ SiO2/Si ПРИ ОБЛУЧЕНИИ СКАНИРУЮЩИМ ПУЧКОМ ИМПУЛЬСНОГО ВОЛОКОННОГО ЛАЗЕРА
Статья опубликована в выпуске №3, том 13, 2013
Статья опубликована в выпуске №3, том 13, 2013